摘要:針對頻率綜合器在寬調諧范圍下相位噪聲變差的問(wèn)題,設計了一款適用于頻率綜合器的寬調諧范圍低相位噪聲的壓控振蕩器;采用180nm BiCMOS工藝,運用可變電容陣列和開(kāi)關(guān)電容陣列實(shí)現寬調諧范圍;通過(guò)加入降噪模塊,濾除壓控振蕩器產(chǎn)生的二次諧波和三次諧波,增大輸出振幅,降低相位噪聲;并在壓控振蕩器輸出端加入輸出緩沖器,降低頻率綜合器其他器件對壓控振蕩器的影響;通過(guò)Cadence軟件對壓控振蕩器進(jìn)行仿真,仿真結果表明:調諧電壓為0.3~3V,壓控振蕩器的輸出頻率范圍為2.3~3.5GHz;當壓控振蕩器的中心頻率為3.31GHz時(shí),在偏離中心頻率10kHz、100kHz和1MHz處的相位噪聲分別為-93.21dBc/Hz,-117.03dBc/Hz,-137.41dBc/Hz,功耗7.66mW;在較寬的頻率范圍內,取得良好的相位噪聲抑制,提高壓控振蕩器的噪聲性能,滿(mǎn)足寬帶低相噪頻率綜合器的應用需求。