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Android存儲系統中NAND閃存性能的改進(jìn)
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四川大學(xué) 電子信息學(xué)院,四川大學(xué) 電子信息學(xué)院

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Improvements on the Performance of NAND Flash in Android Memory System
Author:
Affiliation:

College of Electronics and Information Engineering,Sichuan University,College of Electronics and Information Engineering,Sichuan University

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    摘要:

    針對Android存儲系統在閃存管理上存在較差的磨損均衡效果和較高的垃圾回收額外開(kāi)銷(xiāo)的缺陷,引入冷熱數據分離策略,將文件按照不同熱度寫(xiě)入對應熱度的物理存儲單元,同時(shí)改進(jìn)垃圾回收策略,以達到良好的磨損均衡效果并減少垃圾回收額外開(kāi)銷(xiāo)。基于A(yíng)ndroid平臺的實(shí)驗結果表明,改進(jìn)后的策略在有效減少NAND閃存垃圾回收額外開(kāi)銷(xiāo)的同時(shí),還能有效改善其磨損均衡效果。

    Abstract:

    To solve the problem of Android memory system in wear leveling and garbage collection, the policy of cold/hot data separation is adopted to write files to the corresponding physical memory unit according to different heat. Then, the policy of garbage collection is improved to get better performance of wear leveling and garbage collection. Experimental results based on Android platform show that the garbage collection overhead for NAND flash is reduced and the degree of wear leveling for NAND flash is improved in Android memory system.

    參考文獻
    相似文獻
    引證文獻
引用本文

陳 旭,嚴 華. Android存儲系統中NAND閃存性能的改進(jìn)計算機測量與控制[J].,2018,26(5):181-184.

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歷史
  • 收稿日期:2017-09-07
  • 最后修改日期:2017-10-08
  • 錄用日期:2017-10-09
  • 在線(xiàn)發(fā)布日期: 2018-05-22
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