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為實(shí)現對晶圓表面金屬層的化學(xué)機械拋光（CMP）過(guò)程中的終點(diǎn)檢測和對拋光速率進(jìn)行監控的要求，設計了一種基于電渦流測量原理的測量裝置。該裝置以FPGA器件作為控制核心，由其控制高速D/A轉換器生成正弦交流信號，并驅動(dòng)測量電橋。由于測量線(xiàn)圈產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)在晶片金屬薄膜上產(chǎn)生電渦流，引起測量線(xiàn)圈的阻抗發(fā)生變化。通過(guò)測量相應的阻抗變化產(chǎn)生的信號，可以計算出相應的晶片表面金屬薄膜的厚度。實(shí)驗表明該裝置可以滿(mǎn)足對晶圓表面100～1000nm厚度金屬層的測量要求。